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1200
T C = 25 C
1000
10
8
Common Emitter
R L = 120 ? , V CC = 600V
o
800
Cies
6
600
400
200
Coes
4
2
0
Cres
0
1
10
0
10
20
30
Vce [V]
Fig 7. Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
600
Gate Charge, Qg [nC]
Fig 8. Typical Gate Charge Characteristic
1200
Vcc = 600V
Ic = 5A
Vcc = 600V
Rg = 10 ?
Ic = 10A
500
400
Esw
1000
800
Vge = 10V
Eon
300
200
100
Eoff
600
400
200
Ic = 5A
Ic = 3A
0
5
10
15
20
25
30
20
40
60
80
100
Rg [ ? ]
Fig 9. Typical Switching Loss vs.
Gate Resistance
1.2
Vcc = 600V
Rg = 10 ?
Esw
Tc [ ℃ ]
Fig 10. Typical Switching Loss vs.
Case Temperature
Tc = 100 ℃
1.0
10
0.8
0.6
Eon
Eoff
0.4
Safe Operating Area
0.2
1
Vge = 20V, Tc = 100 ℃
4
6
8
10
1
10
100
1000
Ic [A]
Fig 11. Typical Switching Loss vs.
Collector Current
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Vce [V]
Fig 12. Turn-Off SOA
SGS5N150UF Rev. B
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